BSB008NE2LXXUMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Silver/Nickel (Ag/Ni)
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position BOTTOM
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A Ta 180A Tc
Rise Time 47.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 32.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 46A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 180A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Avalanche Energy Rating (Eas) 600 mJ
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 3-WDSON
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 343nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0008Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 25V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSB008NE2LX INFINEO 特殊なホットIC 598
BSB008NE2LXXUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2581

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