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BSB053N03LP G
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BSB053N03LP G 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | compliant |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 17A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 284A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 75 mJ |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 3-WDSON |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | MATTE TIN |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-MBCC-N3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.3W Ta 42W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Ta 71A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0053Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
BSB053N03LP G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください BSB053N03LP G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "BSB05" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'BSB05'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
BSB053N03LP G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2548 |
BSB053N03LPG | INFINEO | 特殊なホットIC | 25000 |
BSB053N03LTG | INFINEO | 特殊なホットIC | 17705 |
BSB056N10NN3 G | INFINEO | 特殊なホットIC | 38914 |
BSB056N10NN3G | INFINEO | 特殊なホットIC | 200326 |
BSB056N10NN3G IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 365 |
BSB056N10NN3GXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2623 |
BSB056N10NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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BSB053N03LP G ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, BSB053N03LP G 参考価格. BSB053N03LP G パラメーター, BSB053N03LP G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSB053N03LP G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSB053N03LP G ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSB053N03LP G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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