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BSM100GB120DLCKHOSA1 技術仕様

IGBT MOD 1200V 100A 830W

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 7
Qualification Status Not Qualified
Configuration Half Bridge
Power - Max 830W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 110 ns
NTC Thermistor Yes
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Turn Off Time-Nom (toff) 480 ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSM100GB120DLCKHOSA1 書類

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その他には以下が含まれます：   "BSM10"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSM100D12PIC003 ROHM IGBTモジュール 2618
BSM100GA120DN11 EUPEC IGBTモジュール 2702
BSM100GA120DN2 EUPEC IGBTモジュール 2676
BSM100GAL100D EUPEC IGBTモジュール 2785
BSM100GAL120D EUPEC IGBTモジュール 2817
BSM100GAL120DLC EUPEC IGBTモジュール 2563
BSM100GAL120DLCK Infineon IGBTモジュール 2730
BSM100GAL120DLCKHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 0
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies IGBTモジュール
BSM100GAL120DN2 EUPEC IGBTモジュール 2800

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BSM100GB120DLCKHOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, BSM100GB120DLCKHOSA1 参考価格. BSM100GB120DLCKHOSA1 パラメーター, BSM100GB120DLCKHOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSM100GB120DLCKHOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSM100GB120DLCKHOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSM100GB120DLCKHOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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