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BSM75GAR120DN2HOSA1 技術仕様

IGBT MOD 1200V 30A 235W

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Single
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 400μA
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1nF @ 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 235W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
BSM756GD120 IGBT Module IGBTモジュール 2959
BSM75GAL100D EUPEC IGBTモジュール 2782
BSM75GAL120D EUPEC IGBTモジュール 2934
BSM75GAL120DLC IGBT Module IGBTモジュール 2585
BSM75GAL120DN2 Infineon IGBTモジュール 2726
BSM75GAL120DN2HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 2538
BSM75GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies IGBTモジュール
BSM75GAL123D Semikron 特殊なホットIC 2728
BSM75GAL60DLC EUPEC IGBTモジュール 2755
BSM75GAR120D EUPEC IGBTモジュール 2762

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BSM75GAR120DN2HOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, BSM75GAR120DN2HOSA1 参考価格. BSM75GAR120DN2HOSA1 パラメーター, BSM75GAR120DN2HOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 BSM75GAR120DN2HOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 BSM75GAR120DN2HOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 BSM75GAR120DN2HOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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