DF1000R17IE4BOSA1 技術仕様

IGBT MODULE 1700V 6250W

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 12
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 12
Max Power Dissipation 6.25kW
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration Single
Power - Max 6250W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 1.39kA
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.7kV
Turn On Time 720 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1890 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 81nF @ 25V
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 12
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor Yes
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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DF1000R17IE4BOSA1 書類

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部 # メーカー カテゴリー 可用性
DF1000R17IE4 IGBT Module IGBTモジュール 2522
DF1000R17IE4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 2785
DF1000R17IE4DB2BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 2770
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies IGBTモジュール
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DF1000R17IE4BOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, DF1000R17IE4BOSA1 参考価格. DF1000R17IE4BOSA1 パラメーター, DF1000R17IE4BOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DF1000R17IE4BOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DF1000R17IE4BOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DF1000R17IE4BOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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