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DF200R12W1H3FB11BOMA1 技術仕様

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 32 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 18
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X18
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 20mW
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Series EasyPACK™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 27 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 475 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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DF200R12W1H3FB11BOMA1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
DF2005-G Comchip Technology ダイオード - ブリッジ整流器 2759
DF2005S-G Comchip Technology ダイオード - ブリッジ整流器 2740
DF2005ST-G Comchip Technology ダイオード - ブリッジ整流器 2716
DF200AA-120 IGBT Module IGBTモジュール 2923
DF200AA020 Sanrex IGBTモジュール 2901
DF200AA040 Sanrex IGBTモジュール 2735
DF200AA060 Sanrex IGBTモジュール 2872
DF200AA080 SANREX 特殊なホットIC 2856
DF200AA120 SANKEN IGBTモジュール 2964
DF200AA140 SANREX IGBTモジュール 2952

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, DF200R12W1H3FB11BOMA1 参考価格. DF200R12W1H3FB11BOMA1 パラメーター, DF200R12W1H3FB11BOMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DF200R12W1H3FB11BOMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DF200R12W1H3FB11BOMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DF200R12W1H3FB11BOMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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