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DF23MR12W1M1B11BOMA1 技術仕様

MOSFET MODULE 1200V 25A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package Module
Packaging Tray
Series CoolSiC™+
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V 1.2kV
Drain to Source Resistance 45mOhm
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Power - Max 20mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620nC @ 15V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
RoHS Status RoHS Compliant
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DF23MR12W1M1B11BOMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2743
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ

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DF23MR12W1M1B11BOMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, DF23MR12W1M1B11BOMA1 参考価格. DF23MR12W1M1B11BOMA1 パラメーター, DF23MR12W1M1B11BOMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 DF23MR12W1M1B11BOMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 DF23MR12W1M1B11BOMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 DF23MR12W1M1B11BOMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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