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FD200R12KE3HOSA1 技術仕様

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position UPPER
Pin Count 5
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X5
Configuration Single Chopper
Power - Max 1050W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 400 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 830 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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FD200R12KE3HOSA1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FD2000 FINECHIP 特殊なホットIC 1680
FD2000046 Diodes Incorporated オシレーター 2511
FD2000047 Diodes Incorporated オシレーター 2791
FD2000048 Diodes Incorporated オシレーター 2775
FD2000049 Diodes Incorporated オシレーター 2559
FD2000051 Diodes Incorporated オシレーター 2537
FD2000DU-120 IGBT Module IGBTモジュール 2700
FD2005 FD 特殊なホットIC 2527
FD200AV-90 Mitsubishi IGBTモジュール 2732
FD200R12KE3 Infineon IGBTモジュール 1359

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FD200R12KE3HOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FD200R12KE3HOSA1 参考価格. FD200R12KE3HOSA1 パラメーター, FD200R12KE3HOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FD200R12KE3HOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FD200R12KE3HOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FD200R12KE3HOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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