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FF200R12KE4PHOSA1 技術仕様

IGBT MODULE 1200V 200A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Half Bridge
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 325 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 800 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FF200 Greenlee Communications 装備 - 専門 2632
FF200 R12me4 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 0
FF200R06KE3 IGBT Module IGBTモジュール 1433
FF200R06KE3 Infineon Technologies AG IGBTモジュール
FF200R06KE3HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 2646
FF200R06KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBTモジュール
FF200R06KF EUPEC IGBTモジュール 2797
FF200R06KF2 EUPEC IGBTモジュール 2790
FF200R06KF3 EUPEC IGBTモジュール 2604
FF200R06KL EUPEC IGBTモジュール 2784

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FF200R12KE4PHOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FF200R12KE4PHOSA1 参考価格. FF200R12KE4PHOSA1 パラメーター, FF200R12KE4PHOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FF200R12KE4PHOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FF200R12KE4PHOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FF200R12KE4PHOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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