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FF23MR12W1M1B11BOMA1
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FF23MR12W1M1B11BOMA1 技術仕様
FF23MR12W1M1B11BOMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Power Dissipation | 20mW |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V |
Turn-Off Delay Time | 43.5 ns |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 12.35mm |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Chassis Mount |
Manufacturer Package Identifier | AG-EASY1BM-2 |
Packaging | Tray |
Series | CoolSiC™+ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Number of Channels | 2 |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 50A, 15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 0 |
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBTモジュール |
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FF23MR12W1M1B11BOMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FF23MR12W1M1B11BOMA1 参考価格. FF23MR12W1M1B11BOMA1 パラメーター, FF23MR12W1M1B11BOMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FF23MR12W1M1B11BOMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FF23MR12W1M1B11BOMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FF23MR12W1M1B11BOMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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