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FF650R17IE4PBOSA1 技術仕様

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X10
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 720 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1870 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 10
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 650A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
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FF650R17IE4PBOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FF650R17IE4PBOSA1 参考価格. FF650R17IE4PBOSA1 パラメーター, FF650R17IE4PBOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FF650R17IE4PBOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FF650R17IE4PBOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FF650R17IE4PBOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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