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FS50R07N2E4B11BOSA1 技術仕様

IGBT MODULE 650V 70A 190W

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Part Status Obsolete
Number of Terminations 25
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X25
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 190W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Series EconoPACK™ 2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 43 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 265 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
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FS50R07N2E4B11BOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FS50R07N2E4B11BOSA1 参考価格. FS50R07N2E4B11BOSA1 パラメーター, FS50R07N2E4B11BOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FS50R07N2E4B11BOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FS50R07N2E4B11BOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FS50R07N2E4B11BOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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