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FZ1200R17HP4B2BOSA2 技術仕様

IGBT MOD 1700V 1200A 7800W

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 24 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-PUFM-X7
Configuration Half Bridge
Power - Max 7800W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 850 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1810 ns
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 7
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 1200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 97nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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FZ1200R17HP4B2BOSA2 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FZ1200 R12KF5 EUPEC 特殊なホットIC 1469
FZ120012KF4 NO 特殊なホットIC 2760
FZ1200A1700V EUPEC 特殊なホットIC 2794
FZ1200R12 EUPEC IGBTモジュール 2992
FZ1200R12E3 IGBT Module IGBTモジュール 2979
FZ1200R12HE4 IGBT Module IGBTモジュール 1419
FZ1200R12HE4HOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 2762
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies IGBTモジュール
FZ1200R12HE4P IGBT Module IGBTモジュール 1456
FZ1200R12HE4PHPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 5226

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FZ1200R17HP4B2BOSA2 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FZ1200R17HP4B2BOSA2 参考価格. FZ1200R17HP4B2BOSA2 パラメーター, FZ1200R17HP4B2BOSA2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FZ1200R17HP4B2BOSA2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FZ1200R17HP4B2BOSA2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FZ1200R17HP4B2BOSA2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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