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FZ1200R33KL2CNOSA1 技術仕様

IGBT MODULE 3300V IHV 190MM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / IGBTモジュール
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X9
Configuration COMPLEX
Power - Max 14500W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Power Dissipation-Max (Abs) 14500W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.65V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 145nF @ 25V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Part Status Obsolete
Number of Terminations 9
Terminal Position UPPER
Pin Count 9
Number of Elements 3
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 2300A
Turn On Time 1700 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 4250 ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
VCEsat-Max 3.65 V
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FZ1200R33KL2CNOSA1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FZ1200 R12KF5 EUPEC 特殊なホットIC 1469
FZ120012KF4 NO 特殊なホットIC 2760
FZ1200A1700V EUPEC 特殊なホットIC 2794
FZ1200R12 EUPEC IGBTモジュール 2992
FZ1200R12E3 IGBT Module IGBTモジュール 2979
FZ1200R12HE4 IGBT Module IGBTモジュール 1419
FZ1200R12HE4HOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 2762
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies IGBTモジュール
FZ1200R12HE4P IGBT Module IGBTモジュール 1456
FZ1200R12HE4PHPSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - モジュール 5226

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FZ1200R33KL2CNOSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, FZ1200R33KL2CNOSA1 参考価格. FZ1200R33KL2CNOSA1 パラメーター, FZ1200R33KL2CNOSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FZ1200R33KL2CNOSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FZ1200R33KL2CNOSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FZ1200R33KL2CNOSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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