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IGB01N120H2ATMA1 技術仕様
IGB01N120H2ATMA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 28W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | NPN |
Max Collector Current | 3.2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5A |
Switching Energy | 140μJ |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 28W |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Test Condition | 800V, 1A, 241 Ω, 15V |
Gate Charge | 8.6nC |
Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IGB01N120H2ATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IGB01N120H2ATMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IGB01" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IGB01'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IGB01N120H2 | INFINEON | 特殊なホットIC | 6380 |
IGB01N120H2ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2566 |
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輸送方法 | ||
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