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IGB10N60TATMA1 技術仕様
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | TrenchStop® |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Base Part Number | 10N60 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 110W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Test Condition | 400V, 10A, 23 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 296 ns |
Gate Charge | 62nC |
Td (on/off) @ 25°C | 12ns/215ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Turn On Time | 21 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 10A |
IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 30A |
Switching Energy | 430μJ |
IGB10N60TATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IGB10N60TATMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IGB10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IGB10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IGB10N60T | INF | 特殊なホットIC | 24500 |
IGB10N60TATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2794 |
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