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IGB50N65H5ATMA1 技術仕様
IGBT PRODUCTS
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | TrenchStop™ 5 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 50A, 12 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Switching Energy | 1.59mJ (on), 750μJ (off) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Power - Max | 270W |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Gate Charge | 120nC |
Td (on/off) @ 25°C | 23ns/173ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IGB50N65H5ATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IGB50N65H5ATMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IGB50" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IGB50'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IGB50N60T | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 425 |
IGB50N60T | Infineon Technologies AG | 単一IGBT | |
IGB50N60TATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2620 |
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
IGB50N65H5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2662 |
IGB50N65S5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 0 |
IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT |
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