IPA60R800CEXKSA1 技術仕様

MOSFET N-Ch 600V 5.6A TO220FP-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ CE
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800m Ω @ 2A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A Tc
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 50 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.299997g
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 27W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.8Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 72 mJ
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IPA6041GTRPBF IR 特殊なホットIC 6734
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