IPB016N06L3GATMA1 技術仕様

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A Tc
Rise Time 79ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 131 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 634 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 250W Tc
Power Dissipation 250W
Turn On Delay Time 35 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 196μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 38 ns
Continuous Drain Current (ID) 180A
Max Dual Supply Voltage 60V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IPB010N06N INFINEON 特殊なホットIC 2635
IPB010N06N3G 010N06N International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 683
IPB010N06NATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2674
IPB010N06NATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB011N04L INF 特殊なホットIC 18
IPB011N04L G International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1067
IPB011N04LG INFINEON 特殊なホットIC 2796
IPB011N04LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2635
IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB011N04N International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 32377

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