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IPB036N12N3GATMA1
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IPB036N12N3GATMA1 技術仕様
IPB036N12N3GATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A Tc |
Rise Time | 52ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 76 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Max Dual Supply Voltage | 120V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 120V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300W |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13800pF @ 60V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 21 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 180A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0036Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 900 mJ |
Height | 4.5mm |
Lead Free | Contains Lead |
IPB036N12N3GATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPB036N12N3GATMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IPB03" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPB03'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPB030N08N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 9367 |
IPB030N08N3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 68 |
IPB030N08N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1544 |
IPB030N08N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1378 |
IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPB031N08N5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 16928 |
IPB031NE7N3 G | INFINEON | 特殊なホットIC | 18802 |
IPB031NE7N3G | INF | 特殊なホットIC | 619 |
IPB031NE7N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 15824 |
IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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IPB036N12N3GATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPB036N12N3GATMA1 参考価格. IPB036N12N3GATMA1 パラメーター, IPB036N12N3GATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB036N12N3GATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB036N12N3GATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB036N12N3GATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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