IPB055N03LGATMA1 技術仕様

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 68W Tc
Power Dissipation 68W
Turn On Delay Time 6.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 5.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Drain-source On Resistance-Max 0.0078Ohm
REACH SVHC No SVHC
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
ipb050n06n International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 18291
IPB050N06N G INFINEON 特殊なホットIC 21304
IPB050N06NG I 特殊なホットIC 22447
IPB050N06NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2691
IPB050N06NGATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB051NE8N G INFINEON 特殊なホットIC 23024
IPB051NE8NG INFINEO 特殊なホットIC 1481
IPB051NE8NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1331
IPB051NE8NG(051NE8N) INFINEO 特殊なホットIC 2511
IPB052N04N G Infineo 特殊なホットIC 18500

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IPB055N03LGATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPB055N03LGATMA1 参考価格. IPB055N03LGATMA1 パラメーター, IPB055N03LGATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB055N03LGATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB055N03LGATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB055N03LGATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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