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IPB70N10S312ATMA1
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IPB70N10S312ATMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 17 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3m Ω @ 70A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A Tc |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 70A |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 410 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 125W Tc |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 280A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB70N10S312ATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPB70N10S312ATMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IPB70" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPB70'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPB70N04S3-07 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 74193 |
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPB70N04S4-06 | I | 特殊なホットIC | 33829 |
IPB70N04S4-06 4N0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 948 |
IPB70N04S406ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2779 |
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPB70N10S2L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 58693 |
IPB70N10S3-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 3975 |
IPB70N10S3-12(3N1012) | INFINEO | 特殊なホットIC | 2590 |
IPB70N10S312ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2561 |
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IPB70N10S312ATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPB70N10S312ATMA1 参考価格. IPB70N10S312ATMA1 パラメーター, IPB70N10S312ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB70N10S312ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB70N10S312ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB70N10S312ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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