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IPB80N06S209ATMA2
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IPB80N06S209ATMA2 技術仕様
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 125μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0088Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 55V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 190W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2360pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 80A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 370 mJ |
IPB80N06S209ATMA2 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPB80N06S209ATMA2
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IPB80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPB80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPB80CN10NG | INEONI | 特殊なホットIC | 12872 |
IPB80N03S4L-02 | INF | 特殊なホットIC | 10256 |
IPB80N03S4L-02 4N03L02 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1151 |
IPB80N03S4L-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 13397 |
IPB80N03S4L-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 1620 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2752 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPB80N03S4L03ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 16948 |
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPB80N04S2-04 | I | 特殊なホットIC | 2590 |
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IPB80N06S209ATMA2 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPB80N06S209ATMA2 参考価格. IPB80N06S209ATMA2 パラメーター, IPB80N06S209ATMA2 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB80N06S209ATMA2 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB80N06S209ATMA2 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB80N06S209ATMA2 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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