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IPB80P04P4L04ATMA1 技術仕様

Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 125W
Turn On Delay Time 28 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 13ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) -80A
Max Dual Supply Voltage -40V
Drain to Source Breakdown Voltage -40V
Height 4.4mm
Width 9.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 125W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 119 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0071Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
Length 10mm
Radiation Hardening No
Lead Free Contains Lead
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IPB80P04P4L04ATMA1 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPB80P04P4L04ATMA1

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPB80CN10NG INEONI 特殊なホットIC 12872
IPB80N03S4L-02 INF 特殊なホットIC 10256
IPB80N03S4L-02 4N03L02 International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1151
IPB80N03S4L-03 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13397
IPB80N03S4L-03 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 1620
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IPB80N03S4L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16948
IPB80N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IPB80N04S2-04 I 特殊なホットIC 2590

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IPB80P04P4L04ATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPB80P04P4L04ATMA1 参考価格. IPB80P04P4L04ATMA1 パラメーター, IPB80P04P4L04ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPB80P04P4L04ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPB80P04P4L04ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPB80P04P4L04ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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