IPD200N15N3GBTMA1 技術仕様

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 8V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 50A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
Avalanche Energy Rating (Eas) 170 mJ
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 150V
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IPD200N15N3 G INFINEON 特殊なホットIC 2576
IPD200N15N3G infineon 特殊なホットIC 10313
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