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IPD60R2K1CEAUMA1
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IPD60R2K1CEAUMA1 技術仕様
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ CE |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 38W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 11 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ω @ 760mA, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 2.3A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 6A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPD60R2K1CEAUMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPD60R2K1CEAUMA1
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データシート
その他には以下が含まれます: "IPD60" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPD60'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPD600N25N3 G | INFINEON | 特殊なホットIC | 2283 |
IPD600N25N3G | INFINEO | 特殊なホットIC | 5277 |
IPD600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2838 |
IPD600N25N3G(600N25N) | INFINEON | 特殊なホットIC | 2603 |
IPD600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5358 |
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPD600N25N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2570 |
IPD60N10S4-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 2091 |
IPD60N10S412ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2571 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ |
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IPD60R2K1CEAUMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPD60R2K1CEAUMA1 参考価格. IPD60R2K1CEAUMA1 パラメーター, IPD60R2K1CEAUMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPD60R2K1CEAUMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPD60R2K1CEAUMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPD60R2K1CEAUMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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