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IPD60R950C6ATMA1 技術仕様

INFINEON IPD60R950C6 Power MOSFET, N Channel, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ C6
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 37W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950m Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.4A
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 37W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 130μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.95Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 46 mJ
Lead Free Lead Free
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IPD600N25N3 G INFINEON 特殊なホットIC 2283
IPD600N25N3G INFINEO 特殊なホットIC 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON 特殊なホットIC 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5358
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IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ

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IPD60R950C6ATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPD60R950C6ATMA1 参考価格. IPD60R950C6ATMA1 パラメーター, IPD60R950C6ATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPD60R950C6ATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPD60R950C6ATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPD60R950C6ATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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