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IPDD60R050G7XTMA1
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IPDD60R050G7XTMA1 技術仕様
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | 10-PowerSOP Module |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 10 |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 22 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 72 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252 |
Drain-source On Resistance-Max | 0.05Ohm |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | CoolMOS™ G7 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 278W Tc |
Power Dissipation | 278W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50m Ω @ 15.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 47A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Height | 2.5mm |
IPDD60R050G7XTMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPDD60R050G7XTMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IPDD6" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPDD6'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPDD60R050G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 430 |
IPDD60R080G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2544 |
IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPDD60R102G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2544 |
IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPDD60R125G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2653 |
IPDD60R150G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2624 |
IPDD60R190G7XTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2790 |
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IPDD60R050G7XTMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPDD60R050G7XTMA1 参考価格. IPDD60R050G7XTMA1 パラメーター, IPDD60R050G7XTMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPDD60R050G7XTMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPDD60R050G7XTMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPDD60R050G7XTMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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