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IPI80N06S2L05AKSA2
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IPI80N06S2L05AKSA2 技術仕様
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 93ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 67 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.006Ohm |
Radiation Hardening | No |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Terminal Position | SINGLE |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 90 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Max Dual Supply Voltage | 55V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 800 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPI80N06S2L05AKSA2 書類
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-
データシート
その他には以下が含まれます: "IPI80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPI80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPI80CN10N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2694 |
IPI80CN10NG | inf | 特殊なホットIC | 1401 |
IPI80N03S4L03AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2693 |
IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IPI80N03S4L04AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2519 |
IPI80N04S204AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2731 |
IPI80N04S204AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2569 |
IPI80N04S2H4AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2729 |
IPI80N04S2H4AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2624 |
IPI80N04S3-03 | INFINEON | 特殊なホットIC | 2483 |
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