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IPN70R1K4P7SATMA1 技術仕様

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-261-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P7
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 700mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 158pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
DS Breakdown Voltage-Min 700V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 6.2W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Vgs (Max) ±16V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPN70R1K4P7SATMA1 書類

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IPN70R1K0CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2577
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IPN70R1K4P7SATMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPN70R1K4P7SATMA1 参考価格. IPN70R1K4P7SATMA1 パラメーター, IPN70R1K4P7SATMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPN70R1K4P7SATMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPN70R1K4P7SATMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPN70R1K4P7SATMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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