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IPP086N10N3GXKSA1
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IPP086N10N3GXKSA1 技術仕様
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 125W Tc |
Power Dissipation | 125W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6m Ω @ 73A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 42ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 31 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0086Ohm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
IPP086N10N3GXKSA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IPP086N10N3GXKSA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IPP08" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IPP08'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IPP080N03L | Original | 特殊なホットIC | 35 |
IPP080N03L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 23181 |
IPP080N03LG | INF | 特殊なホットIC | 325 |
IPP080N03LG MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 5297 |
IPP080N06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 582 |
IPP080N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 20 |
IPP080N06N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 31759 |
IPP080N06NG | INF | 特殊なホットIC | 337 |
IPP083N10N5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 9773 |
IPP083N10N5AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2618 |
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IPP086N10N3GXKSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPP086N10N3GXKSA1 参考価格. IPP086N10N3GXKSA1 パラメーター, IPP086N10N3GXKSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPP086N10N3GXKSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPP086N10N3GXKSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPP086N10N3GXKSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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