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IPU50R3K0CEBKMA1 技術仕様

Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount, Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ CE
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 18W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ω @ 400mA, 13V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 5.8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 3Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 4.1A
Height 6.22mm
Width 2.41mm
Lead Free Contains Lead
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 7.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 84pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 13V
Fall Time (Typ) 49 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Max Dual Supply Voltage 500V
Drain to Source Breakdown Voltage 550V
Avalanche Energy Rating (Eas) 18 mJ
Length 6.73mm
RoHS Status RoHS Compliant
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IPU50R3K0CEBKMA1 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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IPU50R3K0CEBKMA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPU50R3K0CEBKMA1 参考価格. IPU50R3K0CEBKMA1 パラメーター, IPU50R3K0CEBKMA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPU50R3K0CEBKMA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPU50R3K0CEBKMA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPU50R3K0CEBKMA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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