IPW65R045C7FKSA1 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 227W Tc
Power Dissipation 227W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.25mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 82 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.045Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 249 mJ
Height 25.4mm
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ C7
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 24.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 46A
Max Dual Supply Voltage 650V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPW65R045C7FKSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPW65R045C7FKSA1 参考価格. IPW65R045C7FKSA1 パラメーター, IPW65R045C7FKSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPW65R045C7FKSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPW65R045C7FKSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPW65R045C7FKSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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