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IPW80R360P7XKSA1 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ P7
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 84W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 280μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 34A
Avalanche Energy Rating (Eas) 34 mJ
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2018
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 5.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.36Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPW80R360P7XKSA1 書類

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IPW80R280P7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2624
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IPW80R360P7XKSA1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IPW80R360P7XKSA1 参考価格. IPW80R360P7XKSA1 パラメーター, IPW80R360P7XKSA1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IPW80R360P7XKSA1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IPW80R360P7XKSA1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 IPW80R360P7XKSA1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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