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IRF1010NSTRLPBF
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IRF1010NSTRLPBF 技術仕様
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 180W |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A Tc |
Rise Time | 76ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 39 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Dual Supply Voltage | 55V |
Recovery Time | 100 ns |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 55V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 85A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 180W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11m Ω @ 43A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3210pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 48 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 85A |
JEDEC-95 Code | TO-252 |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 75A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 290A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 250 mJ |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF1010NSTRLPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRF1010NSTRLPBF
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IRF10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRF10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRF1008TRPBF. | IR | 特殊なホットIC | 298 |
IRF100B102 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 25272 |
IRF100B102PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 25256 |
IRF100B201 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 20262 |
IRF100B201 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRF100B201 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 10343 |
IRF100B201PBF | IR | 特殊なホットIC | 2591 |
IRF100B202 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5430 |
IRF100B202 | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRF100P218 | International Rectifier (Infineon Technologies) | 特殊なホットIC | 499 |
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IRF1010NSTRLPBF ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRF1010NSTRLPBF 参考価格. IRF1010NSTRLPBF パラメーター, IRF1010NSTRLPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRF1010NSTRLPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRF1010NSTRLPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRF1010NSTRLPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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