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IRF630NSTRLPBF
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IRF630NSTRLPBF 技術仕様
IRF630NSTRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 82W |
Turn On Delay Time | 7.9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A Tc |
Rise Time | 14ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 27 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 94 mJ |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 300mOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 9.3A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 82W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300m Ω @ 5.4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9.3A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF630NSTRLPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRF630NSTRLPBF
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IRF63" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRF63'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRF630 | STMicroelectronics | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1376 |
IRF630 MOS | ST | 特殊なホットIC | 533 |
IRF630. | IR | 特殊なホットIC | 749 |
IRF630/FP | ST | 特殊なホットIC | 838 |
IRF6305TRL | IR | 特殊なホットIC | 1480 |
IRF630A | FAIRCHI | 特殊なホットIC | 645 |
IRF630A MOS | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 563 |
IRF630APBF | VB | 特殊なホットIC | 10437 |
IRF630B | FSC | 特殊なホットIC | 21760 |
IRF630B MOS | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 336 |
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