IRF7855PBF 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 9.4MOhm
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 8.7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Recovery Time 50 ns
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 97mW
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage 4.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRF7855PBF 書類

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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IRF7805 IR 特殊なホットIC 1994
IRF7805/ZTRPBF IOR 特殊なホットIC 35400
IRF7805A International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3761
IRF7805APBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23823
IRF7805ATR International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3123
IRF7805ATRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23430
IRF7805ATRPBF. IR 特殊なホットIC 18600
IRF7805PBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2592
IRF7805PBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRF7805PBF MOS IR 特殊なホットIC 2284

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