IRF7902PBF 技術仕様

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 6.4A
Number of Elements 2
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A 9.7A
Rise Time 8.6ns
Continuous Drain Current (ID) 9.7A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 22.6 mΩ
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Obsolete
Resistance 22.6MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number IRF7902PBF
Element Configuration Dual
Power - Max 1.4W 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 580pF
Drain to Source Resistance 18.7mOhm
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status RoHS Compliant
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IRF7901D1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 1301
IRF7901D1 Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ
IRF7901D1(black) IR 特殊なホットIC 105072
IRF7901D1(white) IR 特殊なホットIC 26230
IRF7901D1PBF IR 特殊なホットIC 459
IRF7901D1TR International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2304
IRF7901D1TR Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ
IRF7901D1TR MOS IR 特殊なホットIC 2966
IRF7901D1TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 404
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies MOSFETトランジスタアレイ

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