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IRF9953TRPBF
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IRF9953TRPBF 技術仕様
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
Max Power Dissipation | 2W |
Current Rating | -2.3A |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 9.7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Height | 1.4986mm |
Width | 3.9878mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 250mOhm |
Voltage - Rated DC | -30V |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | IRF9953PBF |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 2W |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250m Ω @ 1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
Rise Time | 14ns |
Fall Time (Typ) | 6.9 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.3A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 57 mJ |
FET Feature | Standard |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRF9953TRPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRF9953TRPBF
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IRF99" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRF99'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRF9910 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2291 |
IRF9910 | Infineon Technologies | MOSFETトランジスタアレイ | |
IRF9910PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 33663 |
IRF9910PBF | Infineon Technologies | MOSFETトランジスタアレイ | |
IRF9910PBF | Rochester Electronics, LLC | MOSFETトランジスタアレイ | |
IRF9910PBF MOS | IR | 特殊なホットIC | 14232 |
IRF9910TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2724 |
IRF9910TR | Infineon Technologies | MOSFETトランジスタアレイ | |
IRF9910TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 65472 |
IRF9910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETトランジスタアレイ |
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