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IRFB31N20DPBF 技術仕様

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 31A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs +/-30V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 31A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A Tc
Rise Time 38ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Threshold Voltage 5.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 200V
Recovery Time 300 ns
Height 8.763mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 82mOhm
Voltage - Rated DC 200V
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 3.1W Ta 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 31A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Avalanche Energy Rating (Eas) 420 mJ
Nominal Vgs 5.5 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFB31N20DPBF 書類

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その他には以下が含まれます：   "IRFB3"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFB3004 IR 特殊なホットIC 25367
IRFB3004G IR 特殊なホットIC 18829
IRFB3004GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2746
IRFB3004PBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 25345
IRFB3004PBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRFB3004PBF MOS IR 特殊なホットIC 660
IRFB3006 IR 特殊なホットIC 32629
IRFB3006G IR 特殊なホットIC 32764
IRFB3006GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 505
IRFB3006GPBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ

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IRFB31N20DPBF ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRFB31N20DPBF 参考価格. IRFB31N20DPBF パラメーター, IRFB31N20DPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFB31N20DPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFB31N20DPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFB31N20DPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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