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IRFB59N10DPBF
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IRFB59N10DPBF 技術仕様
IRFB59N10DPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 25mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25m Ω @ 35.4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 59A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Nominal Vgs | 5.5 V |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Position | SINGLE |
Current Rating | 59A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 200W Tc |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A Tc |
Rise Time | 90ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 5.5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Dual Supply Voltage | 100V |
Height | 8.763mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFB59N10DPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFB59N10DPBF
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IRFB5" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRFB5'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRFB52N150D | IR | 特殊なホットIC | 50 |
IRFB52N15D | IR | 特殊なホットIC | 32675 |
IRFB52N15DPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 977 |
IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFB52N15DPBF. | IR | 特殊なホットIC | 2622 |
IRFB52N15DPBF. MOS | IR | 特殊なホットIC | 462 |
IRFB5615 | I | 特殊なホットIC | 25445 |
IRFB5615PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 5403 |
IRFB5615PBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFB5620 | IR | 特殊なホットIC | 2480 |
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IRFB59N10DPBF ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRFB59N10DPBF 参考価格. IRFB59N10DPBF パラメーター, IRFB59N10DPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFB59N10DPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFB59N10DPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFB59N10DPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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