IRFBA90N20DPBF 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 23Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 650W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 39 ns
Threshold Voltage 5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 95A
Dual Supply Voltage 200V
Nominal Vgs 5 V
Length 10.9982mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-273AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 200V
Current Rating 98A
Power Dissipation-Max 650W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 59A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 77 ns
Continuous Drain Current (ID) 98A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Avalanche Energy Rating (Eas) 960 mJ
Height 15.0114mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFBA90N20DPBF ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRFBA90N20DPBF 参考価格. IRFBA90N20DPBF パラメーター, IRFBA90N20DPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBA90N20DPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBA90N20DPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBA90N20DPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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