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IRFH5406TRPBF
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IRFH5406TRPBF 技術仕様
IRFH5406TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Manufacturer Package Identifier | IRFH5406TRPBF |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 14.4MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4m Ω @ 24A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1256pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 3.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 40A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 45 mJ |
Nominal Vgs | 2 V |
Length | 5.9944mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 46W Tc |
Power Dissipation | 3.6W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A Ta 40A Tc |
Rise Time | 8.7ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 5.4 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 900μm |
Width | 5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFH5406TRPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFH5406TRPBF
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IRFH5" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRFH5'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRFH5004 | IR | 特殊なホットIC | 1352 |
IRFH5004TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10482 |
IRFH5004TR2PBF. | IR | 特殊なホットIC | 326 |
IRFH5004TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 20252 |
IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFH5004TRPBF. | IR | 特殊なホットIC | 592 |
IRFH5006PBF | IR | 特殊なホットIC | 523 |
IRFH5006TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10598 |
IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFH5006TR2PBF. | IR | 特殊なホットIC | 11600 |
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