IRFU2607ZPBF 技術仕様

MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 110W Tc
Turn On Delay Time 14 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 28 ns
Reverse Recovery Time 30 ns
Threshold Voltage 2V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Recovery Time 27 ns
Length 6.7056mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation 110W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 59ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 39 ns
Continuous Drain Current (ID) 45A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 75V
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IRFU210 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10240
IRFU210 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10240
IRFU210 MOS IR 特殊なホットIC 2258
IRFU210B FAIRCHI 特殊なホットIC 3810
IRFU210P HAR 特殊なホットIC 823
IRFU210PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 11127
IRFU210PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1651
IRFU210PBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRFU210PBF MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5400
IRFU214 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2286

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