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IRFU9120NPBF
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IRFU9120NPBF 技術仕様
IRFU9120NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 480MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | -100V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Power Dissipation-Max | 40W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480m Ω @ 3.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -100V |
Dual Supply Voltage | -100V |
Height | 6.22mm |
Width | 2.3876mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -6.6A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 39W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A Tc |
Rise Time | 47ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 31 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -6.6A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6.5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26A |
Nominal Vgs | -4 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRFU9120NPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFU9120NPBF
-
データシート
その他には以下が含まれます: "IRFU9" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRFU9'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRFU9010 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2698 |
IRFU9010 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1340 |
IRFU9010PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10290 |
IRFU9010PBF | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10290 |
IRFU9010PBF | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFU9012 | V | 特殊なホットIC | 2762 |
IRFU9012PBF | I | 特殊なホットIC | 10075 |
IRFU9014 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 268 |
IRFU9014 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 57609 |
IRFU9014N | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2552 |
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