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IRG4RC10STR 技術仕様

IRG4RC10STR datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Base Part Number IRG4RC10S
Power - Max 38W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power Dissipation-Max (Abs) 15W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Switching Energy 140μJ (on), 2.58mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Reach Compliance Code unknown
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
Test Condition 480V, 8A, 100 Ω, 15V
Gate Charge 15nC
Td (on/off) @ 25°C 25ns/630ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 1100ns
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRG4RC10K International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 6845
IRG4RC10K Infineon Technologies 単一IGBT
IRG4RC10KD International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 3302
IRG4RC10KD Infineon Technologies 単一IGBT
IRG4RC10KD MOS IR 特殊なホットIC 510
IRG4RC10KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 2795
IRG4RC10KDPBF Infineon Technologies 単一IGBT
IRG4RC10KDTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 2723
IRG4RC10KDTRPBF Infineon Technologies 単一IGBT
IRG4RC10KDTRPBF Rochester Electronics, LLC 単一IGBT

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IRG4RC10STR ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRG4RC10STR 参考価格. IRG4RC10STR パラメーター, IRG4RC10STR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRG4RC10STR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRG4RC10STR ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRG4RC10STR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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