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IRG7PH37K10DPBF 技術仕様

IGBT 1200V 45A 216W TO247AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 45ns
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 120 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.4V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 1mJ (on), 600μJ (off)
Fall Time-Max (tf) 100ns
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 216W
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 25A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Test Condition 600V, 15A, 10 Ω, 15V
Gate Charge 135nC
Td (on/off) @ 25°C 50ns/240ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Radiation Hardening No
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IRG7PH37K10DPBF 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRG7P313U IR 特殊なホットIC 2638
IRG7PA19U-203P IR 特殊なホットIC 1131
IRG7PC50SD IR 特殊なホットIC 54
IRG7PC50SD-R IR 特殊なホットIC 474
IRG7PC50U-RD IR 特殊なホットIC 12
IRG7PG35U-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 2550
IRG7PG35U-EPBF Infineon Technologies 単一IGBT
IRG7PG35UPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 2631
IRG7PG35UPBF Infineon Technologies 単一IGBT
IRG7PG42UD-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - IGBT - シングル 2667

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IRG7PH37K10DPBF ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, IRG7PH37K10DPBF 参考価格. IRG7PH37K10DPBF パラメーター, IRG7PH37K10DPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRG7PH37K10DPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRG7PH37K10DPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRG7PH37K10DPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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