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PTFA261702E V1 技術仕様

IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / RF MOSFETトランジスタ
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Subcategory FET General Purpose Power
Reach Compliance Code compliant
Operating Temperature (Max) 200°C
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 15dB
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test 28V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Voltage - Rated 65V
Current Rating (Amps) 10μA
Frequency 2.66GHz
Configuration Single
Current - Test 1.8A
Transistor Type LDMOS
Power - Output 170W
Power Dissipation-Max (Abs) 643W
RoHS Status RoHS Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
PTFA210451E International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 550
PTFA210601E International Rectifier (Infineon Technologies) 特殊なホットIC 3
PTFA210601E V1 INFINEON 特殊なホットIC 1205
PTFA210601EV4R250FTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2705
PTFA210601EV4R250FTMA1 Infineon Technologies RF MOSFETトランジスタ
PTFA210601EV4XWSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2506
PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies RF MOSFETトランジスタ
PTFA210601F V4 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2744
PTFA210601F V4 Infineon Technologies RF MOSFETトランジスタ
PTFA210601F V4 R250 International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - RF 2684

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PTFA261702E V1 ブランドメーカー: Infineon Technologies, Bonchip ストック, PTFA261702E V1 参考価格. PTFA261702E V1 パラメーター, PTFA261702E V1 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 PTFA261702E V1 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 PTFA261702E V1 ピン図と回路図と機能の使用方法、 PTFA261702E V1 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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