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SGB20N60ATMA1 技術仕様
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Turn On Time | 66 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Switching Energy | 440μJ (on), 330μJ (off) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | unknown |
Base Part Number | 30N60 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 179W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Test Condition | 400V, 20A, 16 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 313 ns |
Gate Charge | 100nC |
Td (on/off) @ 25°C | 36ns/225ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
SGB20N60ATMA1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SGB20N60ATMA1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "SGB20" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SGB20'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SGB20N60 | Infineon | 特殊なホットIC | 2500 |
SGB20N60ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2562 |
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