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SIGC14T60NCX1SA2 技術仕様
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | Die |
Part Status | Last Time Buy |
Input Type | Standard |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | Die |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 300V, 15A, 18Ohm, 15V |
IGBT Type | NPT |
Td (on/off) @ 25°C | 21ns/110ns |
SIGC14T60NCX1SA2 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SIGC14T60NCX1SA2
-
データシート
その他には以下が含まれます: "SIGC1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIGC1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIGC100T60R3EX1SA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC100T60R3EX1SA4 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC100T60R3EX7SA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC100T65R3EX1SA2 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC109T120R3LEX1SA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | トランジスタ - IGBT - シングル | 2558 |
SIGC109T120R3LEX1SA2 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC10T60EX1SA3 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC10T60EX1SA5 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC10T60EX7SA1 | Infineon Technologies | 単一IGBT | |
SIGC10T60EX7SA3 | Infineon Technologies | 単一IGBT |
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